High Precision Aluminum Stainless Steel SPHC SPCC Sheet Metal Stamping Part

Ang mga sumusunod na hakbang ay madalas na kasama sa proseso ng oksihenasyon:
1. Raw material feeding: Gumamit ng mga tubo upang ibigay ang mga hilaw na materyales sa reactor upang mapanatili ang tamang balanse ng mga hilaw na materyales sa loob.
2. Reaksyon: Upang maisagawa ang reaksyon ng oksihenasyon, magdagdag ng oxygen sa reaktor at ayusin ang mga parameter ng reaksyon (tulad ng temperatura, presyon, at oras ng reaksyon).
3. Paghihiwalay ng produkto: Gumamit ng air cooler upang palamigin ang na-react na produkto, gawing likido o solidong anyo mula sa gas, at pagkatapos ay gumamit ng separator upang paghiwalayin ang mga produktong nagmumula sa iba't ibang bahagi.
4. Paglilinis: Upang matiyak na ang produkto ng reaksyon ay umabot sa kinakailangang kadalisayan, linisin ito.

5. Pag-iimpake: Matapos ang mga produkto ay dalisayin, sila ay nakabalot alinsunod sa mga alituntunin at pamantayan bago ibenta sa mga kliyente o ipadala sa susunod na yugto ng pagproseso.
Sa ilang partikular na espesyal na aplikasyon, tulad ng semiconductor wafer fabrication, kabilang din sa proseso ng oksihenasyon ang paglalagay ng enerhiya ng init at mga oxidant (tulad ng oxygen at tubig) sa silicon substrate upang makabuo ng silicon dioxide (SiO2) coating. Ang oxide film na ito ay nagsisilbing isang anti-etching layer upang protektahan ang wafer mula sa hindi sinasadyang pag-ukit sa panahon ng proseso ng pag-ukit, itinitigil ang diffusion sa panahon ng proseso ng pagtatanim ng ion, at ihinto ang leakage current mula sa pagdaan sa mga circuit.